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晶体管
BFP 640ESD H6327参考图片

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BFP 640ESD H6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
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数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥3.6386
36.386
100
¥2.2261
222.61
1,000
¥1.7176
1717.6
3,000
¥1.469
4407
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP640
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
110
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.1 V
集电极连续电流
50 mA
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
45 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
200 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP640ESDH6327XTSA1 BFP64ESDH6327XT SP000785482
单位重量
7 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 640ESD H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV
5,000:¥4.52
10,000:¥4.3505
参考库存:42273
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.39
1,000:¥2.712
参考库存:42278
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 10K 4.7K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:42283
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 2.0A 1.0W
500:¥30.2727
1,000:¥28.589
2,000:¥27.5042
参考库存:42288
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 150mW
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:63596
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    50万现货SKU

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