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产品分类

晶体管
SQ2301ES-T1_GE3参考图片

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SQ2301ES-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified
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库存:32,072(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥2.9606
29.606
100
¥2.1922
219.22
500
¥1.808
904
3,000
¥1.2769
3830.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.9 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,SQ2301ES-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥566.0057
2:¥554.8639
5:¥548.7958
10:¥531.5746
参考库存:1933
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:28705
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 MIMIX 1W Packaged HFET Eval Module
1:¥4,322.25
参考库存:1882
晶体管
MOSFET 200V 12Ohm
1:¥10.3734
10:¥10.2152
25:¥8.6106
100:¥7.8422
参考库存:8004
晶体管
达林顿晶体管 NPN Pwr Darlington
1:¥11.6842
10:¥9.5259
100:¥7.9891
500:¥6.1246
参考库存:9051
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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