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晶体管
RGW80TS65DGC11参考图片

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RGW80TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
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库存:4,697(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.4935
39.4935
10
¥33.5836
335.836
100
¥29.1201
2912.01
250
¥27.5833
6895.825
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
78 A
Pd-功率耗散
214 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
78 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,RGW80TS65DGC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped
1:¥2.6103
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:36486
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V PNP Medium Pwr Low Sat Transistor
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.5594
参考库存:43988
晶体管
JFET N-Ch Dual JFET -40V 50mA 650mW 3.3mW
1:¥175.5003
10:¥149.2278
100:¥138.6171
250:¥127.1702
参考库存:6495
晶体管
MOSFET -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥6.9156
10:¥5.4918
100:¥4.1697
500:¥3.4465
参考库存:26900
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
1:¥6.8365
10:¥5.6048
100:¥4.3053
500:¥3.7064
1,000:¥2.9154
3,000:¥2.9154
参考库存:22172
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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