DDTA114WE-7-F详细参数_参考价格_DDTA114WE-7-F PDF资料_Diodes Incorporated

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	2.12
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-523-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	24
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DDTA114
封装	Reel
高度	0.75 mm
长度	1.6 mm
宽度	0.8 mm
商标	Diodes Incorporated
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	2 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CSD87353Q5D	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V Sync Buck NexFET Power Block	1:¥21.4361 10:¥18.2156 100:¥14.5205 500:¥12.7577 2,500:¥9.831 5,000:查看	参考库存:51577
NGTB25N120SWG	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 FSII 25A 1200V Welding	1:¥34.9622 10:¥29.7416 100:¥25.7414 250:¥24.4306 500:¥21.8994	参考库存:3899
BSC093N15NS5ATMA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MV POWER MOS	1:¥23.5153 10:¥19.9784 100:¥17.289 250:¥16.4415 5,000:¥11.3678	参考库存:73701
MMBT2484	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose	1:¥2.147 10:¥1.5029 100:¥0.63054 1,000:¥0.43053 3,000:¥0.33787	参考库存:169558
FDP047N08-F102	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET PT3 75V	1:¥24.4306 10:¥20.7468 100:¥17.9783 250:¥17.063	参考库存:7810