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晶体管
IRL40B215参考图片

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IRL40B215

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 40V, 120A, 2.7 mOhm 56 nC Qg, Logic Lvl
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数量单价合计
1
¥18.3625
18.3625
10
¥15.594
155.94
100
¥12.4526
1245.26
500
¥10.9158
5457.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
164 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
56 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
143 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
StrongIRFET
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
176 S
下降时间
62 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
110 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
21 ns
零件号别名
SP001558684
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRL40B215的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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24,000:查看
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