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晶体管
SQJ202EP-T1_GE3参考图片

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SQJ202EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified
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库存:24,521(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.4525
10.4525
10
¥8.6106
86.106
100
¥6.5653
656.53
500
¥5.65
2825
1,000
¥4.4635
4463.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
20 A, 60 A
Rds On-漏源导通电阻
5.2 mOhms, 2.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22 nC, 54 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
27 W, 48 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
49 S, 91 S
下降时间
2.6 ns, 5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.2 ns, 4.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns, 28 ns
典型接通延迟时间
8.8 ns, 10.7 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SQJ202EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥8.4524
10:¥7.7631
25:¥6.4523
100:¥5.9212
250:¥5.4805
2,000:¥5.4805
参考库存:29406
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:29411
晶体管
MOSFET N-Channel 500V
1:¥49.946
10:¥41.4145
100:¥34.1147
250:¥33.0412
500:¥29.6625
1,000:¥29.6625
参考库存:11913
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 20V 5A
1:¥4.5313
10:¥3.7516
100:¥2.2939
1,000:¥1.7628
2,000:¥1.5029
参考库存:7150
晶体管
MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
1:¥17.3681
10:¥13.9894
100:¥11.2209
500:¥9.831
参考库存:29420
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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