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晶体管
PHPT61002PYCLHX参考图片

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PHPT61002PYCLHX

  • Nexperia
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bipolar Discretes SOT669
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数量单价合计
1
¥3.3787
3.3787
10
¥2.7911
27.911
100
¥1.7063
170.63
1,000
¥1.3108
1310.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
LFPAK56-5
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 100 V
集电极—基极电压 VCBO
- 100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 8 V
集电极—射极饱和电压
- 300 mV
最大直流电集电极电流
- 2 A
增益带宽产品fT
125 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
PHPT61002
直流电流增益 hFE 最大值
260
商标
Nexperia
集电极连续电流
- 2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
Pd-功率耗散
25 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1500
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,PHPT61002PYCLHX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥567.6216
参考库存:48065
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
1:¥1.6159
10:¥1.4577
100:¥0.9379
1,000:¥0.31527
4,000:¥0.26103
8,000:查看
参考库存:48070
晶体管
MOSFET 30V, 5.8A,N Channel Mosfet
30,000:¥2.0792
参考库存:48075
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥1,159.2105
参考库存:48080
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥412.9359
参考库存:48085
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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