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晶体管
CSD25485F5参考图片

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CSD25485F5

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 20V P-Channel FemtoFet
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库存:107,692(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.9211
3.9211
10
¥2.9945
29.945
100
¥1.6272
162.72
1,000
¥1.2204
1220.4
3,000
¥1.05316
3159.48
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.2 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
3.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PicoStar
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.35 mm
长度
1.53 mm
系列
CSD25485F5
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
0.77 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
0.700 mg
商品其它信息
优势价格,CSD25485F5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T6 60V LL S08FL DS
1,500:¥13.447
4,500:¥12.9046
参考库存:10218
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥548.8636
参考库存:47671
晶体管
MOSFET 16V 29A 5.4W 3.0mohm @ 4.5V
1:¥35.3464
10:¥29.2783
100:¥24.1255
250:¥23.3571
500:¥20.9728
3,000:¥20.9728
参考库存:17725
晶体管
MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 700V, 3A
1:¥8.5315
10:¥7.6049
100:¥5.989
500:¥4.6443
2,500:¥3.3222
5,000:查看
参考库存:47678
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥500.5335
参考库存:47683
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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