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晶体管
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2N5859

  • Central Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 2.0A 1.0W
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数量单价合计
500
¥30.2727
15136.35
1,000
¥28.589
28589
2,000
¥27.5042
55008.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Central Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-39-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.7 V
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
系列
2N5859
直流电流增益 hFE 最大值
120
封装
Bulk
商标
Central Semiconductor
集电极连续电流
2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
Pd-功率耗散
5 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
零件号别名
2N5859 PBFREE
商品其它信息
优势价格,2N5859的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥1.6159
10:¥1.05994
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
参考库存:455955
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 250V 50W PNP
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5371
500:¥6.667
1,000:¥5.2545
参考库存:14152
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Trans MOSFET N-CH 7V 0.03A 4pin(3+Tab)
1:¥3.3787
10:¥2.9945
25:¥2.7007
100:¥2.3617
3,000:¥1.2882
6,000:查看
参考库存:132344
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 16A 200V 250W NPN
1:¥59.7092
10:¥53.9462
50:¥51.4828
100:¥44.6463
参考库存:3991
晶体管
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET
1:¥5.537
10:¥4.5765
100:¥2.9493
1,000:¥2.3617
2,500:¥2.3617
参考库存:28628
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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