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晶体管
FSB649参考图片

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FSB649

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor Low Saturation
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库存:31,997(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.4634
24.634
100
¥1.3334
133.34
1,000
¥0.99892
998.92
3,000
¥0.86106
2583.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SuperSOT-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
集电极—基极电压 VCBO
35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
600 mV
最大直流电集电极电流
3 A
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FSB649
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
1.5 mm
长度
2.92 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
3 A
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
30 mg
商品其它信息
优势价格,FSB649的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET P-Ch 25V JFET -10mA 25V 300mW 2.4mW
113:¥57.9351
500:¥52.7936
1,000:¥45.9458
参考库存:23006
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 150mA PC
1:¥1.695
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.33787
8,000:¥0.2147
24,000:查看
参考库存:23011
晶体管
MOSFET 25V Vds 16V Vgs SO-8
1:¥10.3734
10:¥9.1417
100:¥7.2433
500:¥5.6161
2,500:¥4.0228
5,000:查看
参考库存:23016
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 342A
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥24.0464
250:¥22.826
1,500:¥16.3624
参考库存:23021
晶体管
IGBT 晶体管
1:¥30.2727
10:¥25.7414
100:¥22.2836
250:¥21.131
参考库存:3618
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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