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晶体管
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DMG4N65CTI

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数量单价合计
1
¥9.379
9.379
10
¥7.9891
79.891
100
¥6.1811
618.11
500
¥5.4692
2734.6
1,000
¥4.3166
4316.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
13.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
8.35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
DMG4N65
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13.8 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
15.1 ns
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，DMG4N65CTI的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SMUN5233DW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥3.3787
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
3,000:¥0.69947
参考库存:80678
2N6034
Central Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 PNP Darlington
1:¥11.6842
10:¥9.5259
100:¥7.9891
500:¥6.1246
参考库存:10685
FGH40N60UFDTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
IGBT 晶体管 600V 40A Field Stop
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
500:¥14.6787
参考库存:7232
NSBC114YPDP6T5G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMP NBRT/PBRT TR SOT-963
1:¥3.6838
10:¥2.5764
100:¥1.1865
1,000:¥0.91417
8,000:¥0.70738
24,000:查看
参考库存:44594
BSS119NH6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
1:¥3.2318
10:¥2.2939
100:¥1.05316
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.69156
参考库存:74556

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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