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晶体管
IPD35N10S3L-26参考图片

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IPD35N10S3L-26

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T
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库存:11,930(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.684
7.684
10
¥6.5879
65.879
100
¥5.0624
506.24
500
¥4.4748
2237.4
2,500
¥3.1301
7825.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
24 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
71 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS-T
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
IPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N1S3L26XT SP000386184
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD35N10S3L-26的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V, 49mOhm NexFET Power MOSFET
1:¥5.6839
10:¥4.6895
100:¥3.0397
250:¥3.0397
1,000:¥2.4408
参考库存:6888
晶体管
MOSFET 1000V/1.6A/N-CH
1:¥7.9891
10:¥6.78
100:¥5.198
500:¥4.5991
参考库存:92735
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SOT-23 -0.6A -60V VCEO
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:79077
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60 X2-DFN1006-3 T&R 3K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:73004
晶体管
MOSFET MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC
1:¥28.1257
10:¥23.8995
100:¥20.7468
250:¥19.6733
500:¥17.6732
800:¥14.9047
参考库存:38556
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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