MT3S16U(TE85L,F)详细参数_参考价格_MT3S16U(TE85L,F) PDF资料_Toshiba

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	射频(RF)双极晶体管
RoHS	是
系列	MT3S16
晶体管类型	Bipolar
技术	Si
晶体管极性	NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min	80
集电极—发射极最大电压 VCEO	5 V
发射极 - 基极电压 VEBO	2 V
集电极连续电流	60 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 125 C
配置	Single
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-70-3
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	10 V
直流电流增益 hFE 最大值	140
工作频率	4 GHz (Typ)
工作温度范围	- 55 C to + 125 C
类型	UHF Band Oscillator and Amplifier
商标	Toshiba
Pd-功率耗散	100 mW
产品类型	RF Bipolar Transistors
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	6.200 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
FDD5N50TM-WS	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET UniFET 500V 4A	1:¥7.1416 10:¥6.102 100:¥4.6895 500:¥4.1471 2,500:¥2.8928 10,000:查看	参考库存:14421
PBSS4140DPN,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN/PNP 40V 1A	1:¥5.3788 10:¥4.5313 100:¥2.9154 1,000:¥2.3391 3,000:¥1.9775	参考库存:73153
2STBN15D100	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 Low Volt NPN Darlington Trans	1:¥7.3789 10:¥6.328 100:¥4.859 500:¥4.294 1,000:¥3.39	参考库存:7760
STU1HN60K3	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 6.4 Ohm 1.2A SuperMesh3 IPAK	1:¥7.5258 10:¥6.3958 100:¥4.9155 500:¥4.3392	参考库存:18102
IRF7805TRPBF	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 30V 13A 11mOhm 22nC	1:¥8.8366 10:¥7.5484 100:¥5.7969 500:¥5.1302 1,000:¥4.0454 4,000:¥4.0454	参考库存:23254