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晶体管
SSM6J215FE(TE85L,F参考图片

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SSM6J215FE(TE85L,F

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -3.4A -20V 630pF
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.0792
20.792
100
¥1.1639
116.39
1,000
¥0.84524
845.24
4,000
¥0.7684
3073.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ES6-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
3.4 A
Rds On-漏源导通电阻
154 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
10.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.55 mm
长度
1.6 mm
系列
SSM6J213
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
单位重量
36 mg
商品其它信息
优势价格，SSM6J215FE(TE85L,F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPW65R190CFDA
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO247-3
1:¥36.499
10:¥30.962
100:¥26.894
250:¥25.5154
500:¥22.8938
参考库存:2468
2SA1576AT106Q
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 0.15A SOT-323
1:¥2.6103
10:¥1.7402
100:¥0.72998
1,000:¥0.49946
3,000:¥0.39211
参考库存:17140
DTC114YETL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 70MA SOT-416
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:29002
VS-GA250SA60S
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 晶体管 600 Volt 250 Amp
1:¥624.099
5:¥611.7255
10:¥586.131
25:¥567.2374
参考库存:2469
BCX19,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 45V 500mA
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:52421

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    50万现货SKU

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