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晶体管
SI2303CDS-T1-E3参考图片

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SI2303CDS-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23
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数量单价合计
1
¥4.068
4.068
10
¥3.0623
30.623
100
¥2.2713
227.13
500
¥1.8645
932.25
3,000
¥1.3108
3932.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
2.7 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
2 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
4 ns
零件号别名
SI2303CDS-E3
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，SI2303CDS-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSVB123JPDXV6T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS SRF MT RST XSTR
8,000:¥0.73789
24,000:¥0.67574
48,000:¥0.65314
100,000:¥0.63054
参考库存:42821
FZT651TC
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
4,000:¥2.2148
参考库存:42826
DMN2016UFX-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET
3,000:¥2.0792
参考库存:42831
BUK7Y4R4-40EX
Nexperia
晶体管
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1,500:¥2.7685
9,000:¥2.6781
24,000:¥2.5877
参考库存:42836
CMPT6520 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Complementary HV 350Vcbo 350Vceo
12,000:¥0.66105
24,000:¥0.61472
45,000:¥0.5537
99,000:¥0.52997
参考库存:64144

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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