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晶体管
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FDD5N50TM-WS

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数量单价合计
1
¥7.1416
7.1416
10
¥6.102
61.02
100
¥4.6895
468.95
500
¥4.1471
2073.55
2,500
¥2.8928
7232
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
1.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD5N50
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
FDD5N50TM_WS
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格，FDD5N50TM-WS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N4899
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥318.4227
2:¥309.7443
5:¥301.2128
10:¥292.6022
参考库存:36735
BSP52H6327XTSA1
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1:¥3.616
10:¥3.0171
100:¥1.8419
1,000:¥1.4238
2,000:¥1.2091
参考库存:36740
2N5581
Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥82.603
10:¥74.3088
25:¥67.6983
50:¥63.0879
参考库存:36745
BC 847PN H6433
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
10,000:¥0.37629
20,000:查看
参考库存:36750
BC858A RF
Taiwan Semiconductor
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.4577
100:¥0.92999
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.26103
参考库存:36755

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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