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晶体管
STU1HN60K3参考图片

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STU1HN60K3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 6.4 Ohm 1.2A SuperMesh3 IPAK
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库存:18,102(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.5258
7.5258
10
¥6.3958
63.958
100
¥4.9155
491.55
500
¥4.3392
2169.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
1.2 A
Rds On-漏源导通电阻
6.7 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.75 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
9.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
27 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
系列
STU1HN60K3
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
31 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STU1HN60K3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP SOT-416FL 4.7kO Input Resist
1:¥1.3786
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:48471
晶体管
MOSFET 30-V Dual N-Channel MOSFET
1:¥6.8365
10:¥5.8421
100:¥4.4748
500:¥3.955
2,500:¥2.7685
10,000:查看
参考库存:16403
晶体管
MOSFET PMV55ENEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/
1:¥3.2996
10:¥2.4747
100:¥1.3334
1,000:¥1.00683
3,000:¥0.86784
参考库存:349210
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥31.0411
10:¥25.7414
100:¥21.2101
250:¥20.5208
500:¥18.4416
参考库存:9372
晶体管
射频开发工具 3500W pulse - 2 up - 128MHz
1:¥9,221.1051
参考库存:4534
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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