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晶体管
RGTH60TS65GC11参考图片

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RGTH60TS65GC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 30A IGBT Stop Trench
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数量单价合计
1
¥22.5096
22.5096
10
¥19.1309
191.309
100
¥16.5997
1659.97
250
¥15.7522
3938.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
58 A
Pd-功率耗散
194 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGTH60TS65
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
58 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
30 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGTH60TS65
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,RGTH60TS65GC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:17185
晶体管
MOSFET NFET D2PK 40V 129A 4.5MOH
1:¥22.1254
10:¥18.8258
100:¥15.0629
500:¥13.1419
800:¥10.9158
参考库存:5567
晶体管
MOSFET P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 4 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT23-6L package
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:30839
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
1:¥19.1309
10:¥15.9104
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
3,000:¥8.2942
参考库存:31936
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 15A HiSpd
1:¥16.7466
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9101
参考库存:7188
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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