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晶体管
TK20E60W,S1VX参考图片

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TK20E60W,S1VX

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A
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库存:2,788(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥37.8098
37.8098
10
¥30.3518
303.518
100
¥27.6624
2766.24
250
¥24.973
6243.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
130 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
48 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
165 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
高度
15.1 mm
长度
10.16 mm
系列
TK20E60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.45 mm
商标
Toshiba
下降时间
6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TK20E60W,S1VX的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC Qg
1:¥16.3624
10:¥13.9103
100:¥11.1418
500:¥9.6841
1,000:¥8.0682
参考库存:11777
晶体管
MOSFET 100V SINGLE N-CH 28.5mOhms 39nC
1:¥7.8422
10:¥6.7235
100:¥5.1641
500:¥4.5652
1,000:¥3.6047
3,000:¥3.6047
参考库存:13944
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC
1:¥21.8203
10:¥18.5207
100:¥16.0573
250:¥15.2098
参考库存:19021
晶体管
MOSFET N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh M5
1:¥32.5779
10:¥27.6624
100:¥23.9786
250:¥22.7469
3,000:¥16.3624
参考库存:14908
晶体管
MOSFET N Ch 24V 0.8m 280A Pwr MOSFET
1:¥41.6518
10:¥35.3464
100:¥30.6569
250:¥29.1201
600:¥26.1256
参考库存:7020
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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