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产品分类

晶体管
IPD30N08S2L-21参考图片

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IPD30N08S2L-21

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库存:34,899(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.4468
9.4468
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.2037
620.37
500
¥5.4918
2745.9
2,500
¥3.842
9605
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
75 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
20.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
56 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44 ns
典型接通延迟时间
9 ns
零件号别名
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD3N8S2L21XT SP000252170
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD30N08S2L-21的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
1:¥12.5995
10:¥10.6785
100:¥8.5315
500:¥7.5032
参考库存:25651
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥2.8476
10:¥1.8193
100:¥0.78422
1,000:¥0.5989
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:25656
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF5/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:25661
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥120.7179
10:¥110.9547
25:¥106.3443
100:¥93.7448
600:¥83.3714
1,200:查看
参考库存:25666
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥8.9948
10:¥7.6501
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
2,500:¥4.0906
参考库存:17663
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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