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晶体管
IPP80N04S4-04参考图片

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IPP80N04S4-04

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T2
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库存:5,713(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.9101
9.9101
10
¥8.4524
84.524
100
¥6.5201
652.01
500
¥5.7743
2887.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
71 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPP80N04S404AKSA1 IPP8N4S44XK SP000646196
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP80N04S4-04的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
1:¥1.6159
10:¥1.4351
100:¥0.50737
1,000:¥0.33787
3,000:¥0.26103
参考库存:93585
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥48.6352
10:¥40.2619
100:¥33.1994
250:¥32.1146
参考库存:8837
晶体管
MOSFET 150V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥26.8149
10:¥23.8995
100:¥19.5942
250:¥18.3625
500:¥16.8257
参考库存:3729
晶体管
MOSFET Single N-Channel 60V 174A 74W 24.7mOhms
1:¥4.6104
10:¥3.8533
100:¥2.486
1,000:¥1.9888
1,500:¥1.9888
参考库存:41091
晶体管
MOSFET 47A, 600V SuperFET
1:¥55.0988
10:¥49.7878
25:¥47.4826
100:¥41.1885
参考库存:4318
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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  • 降低成本

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