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晶体管
PHE13003A,412参考图片

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PHE13003A,412

  • WeEn Semiconductors
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANSISTOR DIFF 700V 1A
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数量单价合计
1
¥3.5369
3.5369
10
¥2.2713
22.713
100
¥0.97632
97.632
1,000
¥0.75258
752.58
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
WeEn Semiconductors
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
400 V
集电极—基极电压 VCBO
700 V
发射极 - 基极电压 VEBO
9 V
集电极—射极饱和电压
0.4 V
最大直流电集电极电流
1 A
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
30
商标
WeEn Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min
5
Pd-功率耗散
2.1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
5000
子类别
Transistors
零件号别名
934063927412
单位重量
217 mg
商品其它信息
优势价格,PHE13003A,412的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT High Frequency - Single
1:¥65.8564
10:¥59.2459
25:¥54.014
50:¥50.3302
参考库存:1349
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -73A DPAK-2 OptiMOS-P2
1:¥8.5315
10:¥7.2885
100:¥5.5935
500:¥4.9381
2,500:¥3.4578
10,000:查看
参考库存:15136
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2
1:¥16.5997
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:4558
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6
1:¥18.3625
10:¥15.594
100:¥12.5204
500:¥10.9158
1,000:¥9.0626
参考库存:3635
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 80A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥14.0572
10:¥11.9893
100:¥9.605
500:¥8.3733
1,000:¥6.9721
参考库存:4752
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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