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晶体管
IRF3703PBF参考图片

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IRF3703PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC
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库存:19,021(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.8203
21.8203
10
¥18.5207
185.207
100
¥16.0573
1605.73
250
¥15.2098
3802.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
210 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
209 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
230 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Smps MOSFET
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
24 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
123 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
53 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
SP001574662
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRF3703PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
1:¥3.0736
10:¥1.5142
100:¥1.03734
500:¥0.85315
3,000:¥0.52997
9,000:查看
参考库存:29730
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.47686
24,000:¥0.44522
45,000:¥0.3842
参考库存:34197
晶体管
MOSFET 30V NCH NexFET MOSFET
1:¥6.0681
10:¥5.0737
100:¥3.2431
250:¥3.2431
1,000:¥2.599
参考库存:6977
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 100MA SOT-416
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:23834
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 150MA 8V FT=16G
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:43441
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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