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晶体管
STD9HN65M2参考图片

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STD9HN65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.71 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
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库存:14,178(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.9891
7.9891
10
¥6.78
67.8
100
¥5.2093
520.93
500
¥4.5991
2299.55
2,500
¥3.2205
8051.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
820 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
11.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.4 mm
长度
10.1 mm
产品
Power MOSFET
系列
STD9HN65M2
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MDmesh M2
宽度
6.6 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
14.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
7.5 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STD9HN65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥5.537
10:¥4.6217
100:¥2.9945
1,000:¥2.3843
3,000:¥2.0227
参考库存:15975
晶体管
MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 72mOhm -10V -3.9A
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
3,000:¥0.51528
参考库存:208542
晶体管
MOSFET N-Chnl 60V
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
参考库存:2299
晶体管
MOSFET ULTRA-LOW OHMIC RESISTOR; 3/4W; PMR18(1206) PKG
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:46854
晶体管
IGBT 晶体管 High speed hard switching 600 V, 90 A third generation TRENCHSTOP IGBT3 co-packed with Rapid 1 fast and soft antiparallel diode in a TO-247 advanced isolation package for a best cost efficient solution.
1:¥81.8346
10:¥73.9246
25:¥70.5346
100:¥61.246
参考库存:2261
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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