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晶体管
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KSD560YTU

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1
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6.3732
10
¥5.3901
53.901
100
¥4.1471
414.71
500
¥3.6612
1830.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—基极电压 VCBO
150 V
最大直流电集电极电流
5 A
最大集电极截止电流
1 uA
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSD560
封装
Tube
高度
9.4 mm
长度
10.1 mm
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
5000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
零件号别名
KSD560YTU_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，KSD560YTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRFE6VP6300HSR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4
50:¥733.9802
100:¥682.6443
参考库存:40178
ST9045C
STMicroelectronics
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
50:¥440.2932
100:¥408.0204
参考库存:40183
A2T18H450W19SR6
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H450W19S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,543.3314
参考库存:40188
NVD5890NT4G-VF01
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DPAK 40V 100A 3.7MOH
2,500:¥6.6444
5,000:¥6.3958
10,000:¥6.1472
参考库存:101496
CMST5086 TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 275mW
15,000:¥0.46895
30,000:¥0.43844
45,000:¥0.39211
105,000:¥0.37629
参考库存:181498

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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