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晶体管

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BSM300GA120DN2

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数量单价合计
1
¥1,263.2496
1263.2496
5
¥1,232.8187
6164.0935
10
¥1,202.2409
12022.409
25
¥1,185.4152
29635.38
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
430 A
栅极—射极漏泄电流
320 nA
Pd-功率耗散
2500 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM300GA120DN2HOSA1 SP000100730
商品其它信息
优势价格,BSM300GA120DN2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.5371
1,000:¥6.2376
1,500:¥5.8195
参考库存:27814
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥1.5368
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:67411
晶体管
MOSFET LV POWER MOS
1:¥10.3734
10:¥8.8366
100:¥6.8365
500:¥6.0342
5,000:¥4.2262
10,000:查看
参考库存:8078
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 100V 104A
1,500:¥15.4471
4,500:¥14.9047
参考库存:27823
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
1:¥3.616
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.5989
参考库存:27828
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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