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晶体管
BSZ12DN20NS3 G参考图片

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BSZ12DN20NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3
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库存:25,870(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.684
76.84
100
¥5.8986
589.86
500
¥5.2206
2610.3
1,000
¥4.1132
4113.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
11.3 A
Rds On-漏源导通电阻
108 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
50 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
12 S, 6 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
零件号别名
BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN2NS3GXT SP000781784
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,BSZ12DN20NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V Vds 100A Id Qg 48nC Typ.
1:¥10.0683
10:¥8.2942
100:¥6.3845
500:¥5.4918
1,000:¥4.3392
3,000:¥4.3392
参考库存:9302
晶体管
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥25.2781
10:¥21.5152
100:¥18.5998
250:¥17.6732
500:¥15.8313
参考库存:6619
晶体管
MOSFET PTNG 80V/20V N-Channel MOSFET
1:¥50.3302
10:¥45.4938
25:¥43.3355
100:¥37.6516
3,000:¥27.5042
参考库存:19286
晶体管
MOSFET -40V Vds; +/-20V Vgs TO-263; -100A Id
1:¥14.3736
10:¥11.9102
100:¥9.2208
500:¥8.1473
800:¥6.6896
参考库存:7078
晶体管
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
1:¥33.1994
10:¥28.2048
100:¥24.4306
250:¥23.2102
2,000:¥16.6788
4,000:查看
参考库存:14365
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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