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晶体管
DMP3099L-13参考图片

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DMP3099L-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch ENH FET -30V 65mOhm -10V -3.8A
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数量单价合计
10,000
¥0.36838
3683.8
20,000
¥0.34578
6915.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.8 A
Rds On-漏源导通电阻
65 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.08 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
系列
DMP3099
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
10000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
31 ns
典型接通延迟时间
4.8 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,DMP3099L-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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1,000:¥3.8646
1,500:¥3.8646
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10,000:¥0.11526
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1:¥3.616
10:¥2.3617
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1,000:¥0.78422
2,000:¥0.59212
参考库存:110813
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    50万现货SKU

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