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晶体管
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STGB30H65FB

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a D2PAK package
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¥21.5152
21.5152
10
¥18.2834
182.834
100
¥14.5996
1459.96
500
¥12.8368
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.55 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
260 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB30H65FB
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商品其它信息
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2:¥393.9632
5:¥383.1265
10:¥372.1316
参考库存:37652

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