DDTC115GE-7-F详细参数_参考价格_DDTC115GE-7-F PDF资料_Diodes Incorporated

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-523-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	82
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DDTC115
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	82
高度	0.75 mm
长度	1.6 mm
宽度	0.8 mm
商标	Diodes Incorporated
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	2 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SQD50P04-09L_GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 40V 50A 136W AEC-Q101 Qualified	1:¥25.2781 10:¥22.8938 100:¥18.4416 500:¥14.0572 2,000:¥10.6785 4,000:查看	参考库存:57019
CSD85302L	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V Dual N ch MOSFET	1:¥4.6895 10:¥3.842 100:¥2.3504 1,000:¥1.8193 3,000:¥1.5481	参考库存:72871
FDD86380-F085	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MV780/20V1000AMOSFET N-channelPowerTrench	1:¥6.9156 10:¥5.7291 100:¥3.6951 1,000:¥2.9606 2,500:¥2.4973	参考库存:22568
SIZ320DT-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 25V Vds 16V Vgs PowerPAIR 3 x 3	1:¥7.2998 10:¥5.8647 100:¥4.4522 500:¥3.6725 3,000:¥2.6668 6,000:查看	参考库存:32605
ARF1519	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)	1:¥5,122.4595 5:¥4,800.805	参考库存:2902