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晶体管
SIR186DP-T1-RE3参考图片

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SIR186DP-T1-RE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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数量单价合计
1
¥9.7632
9.7632
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.1924
619.24
500
¥5.3223
2661.15
1,000
¥4.2036
4203.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
3.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
24.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
57 W
配置
Single
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100,000:¥0.1695
参考库存:40579

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