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产品分类

晶体管
SQD50P04-09L_GE3参考图片

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SQD50P04-09L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 40V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
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库存:57,019(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.2781
25.2781
10
¥22.8938
228.938
100
¥18.4416
1844.16
500
¥14.0572
7028.6
2,000
¥10.6785
21357
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
7.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
155 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
136 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
46 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SQD50P04-09L_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 1200V 40A FS2 Trench IGBT
1:¥49.7878
10:¥42.3411
100:¥36.6572
250:¥34.804
参考库存:4762
晶体管
IGBT 晶体管 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
1:¥31.6626
10:¥26.894
100:¥23.3571
250:¥22.1254
参考库存:5679
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package
1:¥37.5725
10:¥31.9677
100:¥27.6624
250:¥26.2838
1,000:¥19.8993
2,000:查看
参考库存:25071
晶体管
MOSFET 20V 7.8A 13.6W AEC-Q101 Qualified
1:¥5.3788
10:¥4.1132
100:¥3.051
500:¥2.5086
3,000:¥1.7628
6,000:查看
参考库存:405468
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power
1:¥19.6733
10:¥18.0574
25:¥16.3624
100:¥14.7578
参考库存:8170
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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