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晶体管
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RGTV60TS65GC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
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10
¥26.894
268.94
100
¥23.3571
2335.71
250
¥22.1254
5531.35
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247N-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
194 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
商标
ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
子类别
IGBTs
零件号别名
RGTV60TS65
商品其它信息
优势价格，RGTV60TS65GC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP120N04S3-02
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T
500:¥16.2155
1,000:¥13.673
2,500:¥12.9837
5,000:¥12.5204
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GTVA261701FA-V1-R2
Wolfspeed / Cree
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2,000:¥16.9048
5,000:¥16.2946
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IPLK80R750P7ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET
5,000:¥4.52
10,000:¥4.3505
参考库存:51066

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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