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APTGT200DH60G

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100
¥801.3621
80136.21
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
290 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
625 W
封装 / 箱体
SP6
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格，APTGT200DH60G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RN1101MFV(TPL3)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
8,000:¥0.27685
24,000:¥0.26103
48,000:¥0.24634
96,000:¥0.2147
参考库存:47130
MPS2369
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
5,000:¥2.2939
10,000:¥2.2035
25,000:¥2.1131
参考库存:47135
STF20N60M2-EP
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.230 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP package
1,000:¥8.7575
参考库存:47140
DRC3144V0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
暂无价格
参考库存:47145
SSM6P47NU,LF
Toshiba
晶体管
MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 8V GS
3,000:¥1.00683
9,000:¥0.9379
24,000:¥0.89157
45,000:¥0.86784
99,000:¥0.86106
参考库存:47150

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