RN1101MFV(TPL3)详细参数_参考价格_RN1101MFV(TPL3) PDF资料_Toshiba

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min	30
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1101
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	30
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
AUIRF3805STRL	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms	1:¥30.8942 10:¥26.2838 100:¥22.826 250:¥21.5943 800:¥16.3624 2,400:查看	参考库存:39890
BCP6925H6327XTSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS	1:¥4.3053 10:¥3.6047 100:¥2.1922 1,000:¥1.695 2,000:¥1.4577	参考库存:39895
NP90N04MUK-S18-AY	Renesas Electronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET	1:¥22.826 10:¥20.5886 50:¥18.4416 100:¥16.5997	参考库存:39900
TSM4925DCS RLG	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Dual 30V P channel Mosfet	1:¥9.831 10:¥8.6784 100:¥6.893 500:¥5.3449 2,500:¥3.8307 5,000:查看	参考库存:39905
MMBT3906L RFG	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0,3mW PNP Transistor	1:¥0.99892 10:¥0.92208 100:¥0.5989 1,000:¥0.20001 3,000:¥0.1695	参考库存:39910