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晶体管
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FDS86267P

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数量单价合计
1
¥10.7576
10.7576
10
¥9.1417
91.417
100
¥7.006
700.6
500
¥6.1924
3096.2
1,000
¥4.8816
4881.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
2.2 A
Rds On-漏源导通电阻
255 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
FDS86267P
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
6.8 S
下降时间
5.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
9.7 ns
单位重量
130 mg
商品其它信息
优势价格，FDS86267P的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DU1215S
MACOM
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥360.5378
5:¥324.4908
参考库存:3260
NSS20200LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V PNP LOW VCE(SAT) XTR
1:¥3.3787
10:¥2.373
100:¥1.09158
1,000:¥0.83733
3,000:¥0.71416
参考库存:63137
KSA473YTU
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥5.9212
10:¥4.859
100:¥3.1414
1,000:¥2.5086
参考库存:10734
DSC2002R0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG BIPLR TRANS GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.5425
100:¥1.582
500:¥1.4125
3,000:¥0.89157
9,000:查看
参考库存:18216
PMPB20EN,115
Nexperia
晶体管
MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET
1:¥2.9945
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥1.11418
3,000:¥0.92208
参考库存:35633

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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