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晶体管
DMN1025UFDB-7参考图片

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DMN1025UFDB-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET Dual N-Ch Enh FET 12V 10Vgs 1.7W
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数量单价合计
1
¥2.8476
2.8476
10
¥2.1809
21.809
100
¥1.1865
118.65
1,000
¥0.89157
891.57
3,000
¥0.7684
2305.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-DFN2020-B-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
6.9 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms, 25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
12.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.7 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN1025
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
2.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.2 ns
典型接通延迟时间
3 ns
商品其它信息
优势价格，DMN1025UFDB-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV2N3499
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥145.3067
10:¥132.0857
25:¥122.1756
50:¥115.5651
参考库存:40076
RMP4N60IP
Rectron
晶体管
MOSFET TO-251 MOSFET
3,200:¥1.8419
5,600:¥1.6837
10,400:¥1.5368
25,600:¥1.5142
参考库存:40081
JANS2N6988
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
50:¥1,286.4598
参考库存:40086
JANTXV2N2219AL
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
141:¥102.1972
250:¥93.2024
500:¥87.2134
1,000:¥79.9927
参考库存:40091
N0604N-S19-AY
Renesas Electronics
晶体管
MOSFET MOSFET
1:¥12.4526
10:¥11.30
25:¥10.0683
100:¥9.0626
参考库存:40096

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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