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晶体管
NVMFD5C650NLWFT1G参考图片

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NVMFD5C650NLWFT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET T6 60V LL S08FL DS
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库存：19,644(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.9839
16.9839
10
¥14.4414
144.414
100
¥11.526
1152.6
500
¥10.0683
5034.15
1,500
¥7.7631
11644.65
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
111 A
Rds On-漏源导通电阻
3.5 mOhms, 3.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
37 nC, 37 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
NVMFD5C650NL
晶体管类型
2 N-Channel
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
120 S, 120 S
下降时间
13 ns, 13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns, 24 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns, 37 ns
典型接通延迟时间
13 ns, 13 ns
商品其它信息
优势价格，NVMFD5C650NLWFT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JAN2N5665
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥260.4876
250:¥239.0515
参考库存:37229
STU6N60M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
1:¥9.605
10:¥8.2264
100:¥6.2828
500:¥5.5596
参考库存:37234
2N4865
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥80.5238
250:¥73.5404
500:¥68.8509
1,000:¥61.3929
参考库存:37239
2N3810L/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥134.1649
200:¥123.17
500:¥117.181
参考库存:37244
STW19NM50N
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V 13A
1:¥37.6516
10:¥33.5836
100:¥27.7415
250:¥25.4363
500:¥23.2102
参考库存:6679

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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