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晶体管
IPP093N06N3 G参考图片

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IPP093N06N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3 OptiMOS 3
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库存:6,003(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.7575
8.7575
10
¥7.5258
75.258
100
¥5.7856
578.56
500
¥5.1189
2559.45
1,000
¥4.0341
4034.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
36 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
71 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
类型
OptiMOS 3 Power-Transistor
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
55 S, 28 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
IPP093N06N3GXKSA1 IPP93N6N3GXK SP000680852
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP093N06N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 800V N-Channel QFET
1:¥10.9158
10:¥9.2999
100:¥7.1642
500:¥6.328
参考库存:7238
晶体管
MOSFET -20V -760mA PChannel
1:¥3.616
10:¥2.3052
100:¥0.99101
1,000:¥0.76049
3,000:¥0.5763
参考库存:75335
晶体管
MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 59A 5-Pin(4+Tab)
1:¥5.537
10:¥4.5991
100:¥2.9606
1,000:¥2.373
1,500:¥2.0001
参考库存:15622
晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.8476
10:¥2.2035
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
9,000:¥0.72207
参考库存:88594
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥4.5313
10:¥3.7742
100:¥2.4408
1,000:¥1.9436
2,000:¥1.9436
参考库存:30571
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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