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晶体管
IPB110N20N3LFATMA1参考图片

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IPB110N20N3LFATMA1

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数量单价合计
1
¥53.4829
53.4829
10
¥48.3301
483.301
25
¥46.104
1152.6
100
¥40.0359
4003.59
1,000
¥30.3518
30351.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
88 A
Rds On-漏源导通电阻
9.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
76 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
Optimos
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
Optimos 5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
26 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
79 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
IPB110N20N3LF SP001503864
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格,IPB110N20N3LFATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V 1A
1:¥3.616
10:¥2.5651
100:¥1.1752
1,000:¥0.90626
2,000:¥0.7684
参考库存:89349
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
1:¥4.9155
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
2,500:¥1.7628
参考库存:25991
晶体管
MOSFET NFET 30V SPCL TR
1:¥5.4579
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
2,500:¥1.9775
参考库存:17033
晶体管
MOSFET N-CH/600V/1A/ QFET C-Series
1:¥5.1528
10:¥4.2375
100:¥2.7346
1,000:¥2.1922
2,500:¥2.1922
参考库存:25080
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN RF Amp/Osc
1:¥4.2262
10:¥3.6725
100:¥2.5538
1,000:¥1.8984
参考库存:20677
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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