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晶体管
IPSA70R600P7SAKMA1参考图片

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IPSA70R600P7SAKMA1

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1
¥6.1472
6.1472
10
¥5.1302
51.302
100
¥3.3109
331.09
1,000
¥2.6555
2655.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
700 V
Id-连续漏极电流
8.5 A
Rds On-漏源导通电阻
490 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
10.5 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
43.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.5 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPSA70R600P7S SP001664806
商品其它信息
优势价格，IPSA70R600P7SAKMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DDTB123TU-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 2.2K
3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
24,000:¥0.29945
45,000:¥0.27685
参考库存:44379
2731GN-200M
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9,000:¥0.73789
24,000:¥0.67574
45,000:¥0.63732
参考库存:44389
FZ2400R12HP4_B9
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10,000:¥0.4068
25,000:¥0.3842
50,000:¥0.33787
100,000:¥0.32996
参考库存:44399

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    科技智能大仓储

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