DDTB123TU-7-F详细参数_参考价格_DDTB123TU-7-F PDF资料_Diodes Incorporated

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	2.2 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min	100
集电极—发射极最大电压 VCEO	40 V
集电极连续电流	500 mA
峰值直流集电极电流	500 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	DDTB123
封装	Reel
高度	1 mm
长度	2.2 mm
宽度	1.35 mm
商标	Diodes Incorporated
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	5 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DMP2066LDMQ-7	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS	1:¥2.9945 10:¥2.4973 100:¥1.5255 1,000:¥1.1865 3,000:¥1.00683	参考库存:6015
RD3L080SNTL1	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Nch 60V 8A TO-252 (DPAK)	1:¥6.9947 10:¥5.9664 100:¥4.5765 500:¥4.0454 2,500:¥2.8363 10,000:查看	参考库存:14697
STL86N3LLH6AG	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 0.004 Ohm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package	1:¥12.4526 10:¥10.5994 100:¥8.4524 500:¥7.4015 3,000:¥5.7065 6,000:查看	参考库存:8009
SISH617DN-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8	1:¥7.458 10:¥5.9664 100:¥4.5313 500:¥3.729 1,000:¥2.9945 3,000:¥2.712	参考库存:47386
STP42N60M2-EP	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 package	1:¥71.303 10:¥64.4665 25:¥61.472 100:¥53.4038	参考库存:4128