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晶体管
STP42N60M2-EP参考图片

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STP42N60M2-EP

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 package
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库存:4,128(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥71.303
71.303
10
¥64.4665
644.665
25
¥61.472
1536.8
100
¥53.4038
5340.38
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
34 A
Rds On-漏源导通电阻
87 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
55 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STP42N60M2-EP
商标
STMicroelectronics
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
96.5 ns
典型接通延迟时间
16.5 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP42N60M2-EP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600 V 4 Ohm 2 A SuperMESH3
1:¥7.8422
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
参考库存:31429
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥3.616
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
2,000:¥1.2317
参考库存:185801
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.4522
10:¥3.729
100:¥2.4069
1,000:¥1.9323
3,000:¥1.9323
参考库存:30333
晶体管
MOSFET N-Channel 100-V D-S
1:¥6.6105
10:¥5.3223
100:¥4.0454
500:¥3.3335
2,000:¥3.3335
参考库存:27805
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.842
10:¥2.9832
100:¥1.6159
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.04525
9,000:¥0.97632
参考库存:24437
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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