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晶体管
STL86N3LLH6AG参考图片

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STL86N3LLH6AG

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 0.004 Ohm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
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数量单价合计
1
¥12.4526
12.4526
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.4524
845.24
500
¥7.4015
3700.75
3,000
¥5.7065
17119.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-5x6-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
5.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6.6 mm
产品
Power MOSFET
系列
STL86N3LLH6AG
晶体管类型
1 N-Channel
类型
STripFET H6
宽度
5.4 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
9.5 ns
商品其它信息
优势价格,STL86N3LLH6AG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO VCESAT(BISS)TRANS
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:9136
晶体管
MOSFET 30V 10A 1.5W
1:¥6.9947
10:¥5.6387
100:¥4.2827
500:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.5651
参考库存:6913
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1.5A 160V
1:¥5.0737
10:¥4.2601
100:¥2.7459
1,000:¥2.1922
参考库存:8620
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER
1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
2,000:¥1.1752
参考库存:23802
晶体管
MOSFET -30V P-Channel Power Trench
1:¥6.3732
10:¥5.4466
100:¥4.181
500:¥3.6951
3,000:¥2.5877
9,000:查看
参考库存:118309
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