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晶体管
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2STN1360

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.9154
29.154
100
¥1.7854
178.54
1,000
¥1.3786
1378.6
2,000
¥1.1752
2350.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
130 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2STN1360
高度
1.8 mm
长度
6.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.5 mm
商标
STMicroelectronics
直流集电极/Base Gain hfe Min
80
Pd-功率耗散
1600 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,2STN1360的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET, Single, N-Ch Trench, 100V, 70A
15,000:¥5.1528
参考库存:52227
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100:¥1,257.6448
参考库存:52232
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250:¥1,866.1385
参考库存:52237
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥132.6281
250:¥121.8705
500:¥112.2655
参考库存:52242
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥548.8636
参考库存:52247
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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