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晶体管
SI2337DS-T1-E3参考图片

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SI2337DS-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -80V Vds 20V Vgs SOT-23
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数量单价合计
1
¥7.8422
7.8422
10
¥6.4184
64.184
100
¥4.9268
492.68
500
¥4.2375
2118.75
1,000
¥3.3448
3344.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
2.2 A
Rds On-漏源导通电阻
270 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 50 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.45 mm
长度
2.9 mm
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.6 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
4.3 S
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
SI2337DS-E3
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，SI2337DS-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥193.795
250:¥177.8846
500:¥169.274
参考库存:39944
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晶体管
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50:¥27.2782
100:¥25.5154
250:¥23.052
500:¥20.6677
参考库存:39949
JANTXV2N4449/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥177.8055
250:¥163.1268
500:¥155.2959
参考库存:39954
RN2117MFV(TPL3)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 -50volts 100mA 3Pin 10Kohms x 4.7Kohms
暂无价格
参考库存:39959

  • 海量现货

    50万现货SKU

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