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晶体管
DMN2004DWKQ-7参考图片

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DMN2004DWKQ-7

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库存:424,130(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥0.82264
2467.92
9,000
¥0.7684
6915.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
540 mA
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms, 400 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
950 pC, 950 pC
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
200 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
系列
DMN2004D
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
200 mS, 200 mS
下降时间
10.5 ns, 10.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.3 ns, 7.3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.8 ns, 13.8 ns
典型接通延迟时间
4.1 ns, 4.1 ns
商品其它信息
优势价格,DMN2004DWKQ-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
1:¥8,726.3346
5:¥8,586.87
参考库存:3111
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Prebias Transistor
1:¥1.5368
10:¥1.4238
100:¥0.49946
1,000:¥0.32996
10,000:¥0.22261
20,000:查看
参考库存:49908
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF101AN/SIL3///TUBE NDP SMALL
1:¥168.0536
5:¥165.432
10:¥154.9908
25:¥139.3064
参考库存:4830
晶体管
MOSFET N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.8313
250:¥15.0629
500:¥13.5261
参考库存:3102
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥13.9894
10:¥11.9102
100:¥9.5259
500:¥8.2942
3,000:¥6.441
6,000:查看
参考库存:3674
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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