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晶体管
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2SB1203T-H

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 5A 50V
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-252-3
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
系列
2SB1203
封装
Bulk
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
70
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，2SB1203T-H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
6MS16017P43W40383
Infineon Technologies
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IGBT 模块
1:¥140,269.6572
参考库存:52361
SMPJ110A
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JFET JFET N-Channel -25V 5.0Vds 10mA 4.0Vgs
329:¥21.5943
500:¥19.3682
1,000:¥16.3624
2,500:¥15.5262
参考库存:52366
PXAC261002FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥597.1259
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10:¥726.138
30:¥643.1508
50:¥580.9104
100:¥560.1636
参考库存:52381

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