RN2117MFV(TPL3)详细参数_参考价格_RN2117MFV(TPL3) PDF资料_Toshiba

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	2.13
安装风格	SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min	30
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 50 V
集电极连续电流	- 100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2117
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	- 50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	- 15 V
高度	1.2 mm
长度	1.2 mm
工作温度范围	- 65 C to + 150 C
类型	PNP Epitaxial Silicon Transistor
宽度	0.5 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SI2315BDS-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 12V 3.85A 1.19W 50mohm @ 4.5V	1:¥5.1528 10:¥4.1697 100:¥3.164 500:¥2.6103 1,000:¥2.0905 3,000:¥1.8984	参考库存:20729
2SB1201S-E	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 2A 50V	1:¥4.9155 10:¥4.0906 100:¥2.4973 1,000:¥1.9323 2,500:¥1.6498	参考库存:8701
NSVMMBT2907AWT1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC70 GP XSTR PNP 60V	1:¥3.0736 10:¥1.9549 100:¥0.83733 1,000:¥0.64523 3,000:¥0.49155	参考库存:19763
FDP070AN06A0	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Channel PwrTrench	1:¥13.2888 10:¥11.30 100:¥9.0626 500:¥7.91	参考库存:5120
IPA60R099P6XKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM	1:¥39.2675 10:¥33.3463 100:¥28.9732 250:¥27.4364	参考库存:4867