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晶体管
SIHG33N65E-GE3参考图片

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SIHG33N65E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存：26,485(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥52.7145
52.7145
10
¥47.4826
474.826
25
¥43.2564
1081.41
100
¥39.0302
3903.02
250
¥35.8888
8972.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
31.6 A
Rds On-漏源导通电阻
95 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
114 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
313 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
EF
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
71 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
56 ns
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
105 ns
典型接通延迟时间
32 ns
商品其它信息
优势价格，SIHG33N65E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF450R12ME4EB11BPSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,647.1445
5:¥1,607.4928
10:¥1,567.6151
25:¥1,545.6366
参考库存:3947
BUK9616-75B,118
Nexperia
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥8.8366
10:¥7.4806
100:¥5.7517
500:¥5.0737
800:¥4.0115
参考库存:27869
PSMN045-80YS,115
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CHAN 80V 17A
1:¥4.2262
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6724
1,500:¥1.6724
参考库存:32021
FDC653N
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET SSOT-6 N-CH 30V
1:¥4.9946
10:¥4.1584
100:¥2.5312
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.6724
参考库存:48873
FF1400R17IP4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 1400A 1700V
1:¥6,098.4066
5:¥6,000.8989
参考库存:3895

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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